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生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝

直徑與工差：25.4±0.4mm

摻雜類型：N型（摻磷 ， 砷 ， 銻） P型（摻硼）

晶向：<111><100>

電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制

工藝數(shù)據(jù)：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、

                彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆                     粒度< 10 (for size >0.3μm)

用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜                做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、                            SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測                試 基底、分子束外延生長的基底、X射線分                     析晶體半導(dǎo)體

到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：TCL集團股份有限公司，京東方科技集團股份有限公司，深圳市華星光電技術(shù)有限公司，武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，應(yīng)用材料（中國）有限公司，鵬翔飛控作動系統(tǒng)（西安）有限責(zé)任公司，廣東美的制冷設(shè)備有限公司，馬鞍山太時芯科技有限公司，山東科芯電子有限公司，湖南湘標新材料科技有限公司，北京嘉仕濤科技有限公司，蘇州甫一電子科技有限公司，營口尚能光電材料有限公司，上海東貝真空設(shè)備有限公司，北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司，杭州纖納光電科技有限公司，蘇州愛彼光電材料有限公司，江西冠能光電材料有限公司，福建中科芯光電科技有限公司，蘇州原位芯片科技有限公司，洛陽市鼎晶電子材料有限公司，深圳市化試科技有限公司，清華大學(xué)，上海交通大學(xué)，哈爾濱工業(yè)大學(xué)，西安交通大學(xué)，中山大學(xué)，華中科技大學(xué)，廈門大學(xué)，北京航空航天大學(xué)，吉林大學(xué)，北京工業(yè)大學(xué)，蘇州大學(xué)，上?？萍即髮W(xué)，黑龍江大學(xué)，中北大學(xué)等眾多的公司、高校和科研所。